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J-GLOBAL ID:200902086161417460   整理番号:87A0110117

高分解能電顕の半導体人工格子への応用

Application of the high resolution electron microscope to the semiconductor artificial lattice.
著者 (3件):
資料名:
巻: 99th  ページ: 42-43  発行年: 1986年10月 
JST資料番号: Y0242A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分子線エピタキシー法で作製した半導体人工格子の構造観察を高分...
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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顕微鏡法  ,  半導体の表面構造 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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