Siにおける対空格子点結合エンタルピーと自己拡散に対する対空格子点の寄与

VAN VECHTEN J A

文献

J-GLOBAL ID：200902086784889223 整理番号：86A0336411

Siにおける対空格子点結合エンタルピーと自己拡散に対する対空格子点の寄与

Divacancy binding enthalpy and contribution of divacancies to self-diffusion in Si.

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資料名：
巻： 33 号： 4 ページ： 2674-2689 発行年： 1986年02月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si中の単一空格子点によるドナー準位の“負のU型特性”を観測...

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不純物・欠陥の電子構造 , 半導体の格子欠陥

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