シリコンにおける電子衝突イオン化の量子収量

CHANG C; HU C; BRODERSEN R W

文献

J-GLOBAL ID：200902087459242392 整理番号：85A0460981

シリコンにおける電子衝突イオン化の量子収量

Quantum yield of electron impact ionization in silicon.

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巻： 57 号： 2 ページ： 302-309 発行年： 1985年01月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

極薄酸化層をもつpチャネルSiゲートMOS型トランジスタを利...

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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】

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