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J-GLOBAL ID：200902087485068805   整理番号：86A0298433

量子井戸中のGaAs-Ga(Al)As界面の光学的研究

Optical investigations of GaAs-Ga(Al)As interfaces in quantum wells.

著者 (1件)： DELALANDE C (Ecole Normale Sup<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rieure, Paris)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 168  号： 1/3  ページ： 531-537  発行年： 1986年03月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ルミネセンス,励起分光によりGaAs/Ga(Al)As量子...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 価電子帯 ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 量子井戸 ,  GaAs ,  Ga ,  Al ,  界面 ,  光学 ,  研究