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J-GLOBAL ID：200902087879951674   整理番号：84A0274212

Si(111)表面上のSiO2超薄膜の構造と成長速度論

Structure and growth kinetics of SiO2 ultra thin film on Si(111) surface.
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著者 (3件)：
DERRIEN J

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(Univ. Haute-Alsace, France)

Univ. Haute-Alsace, France について

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RINGEISEN F

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(Univ. Haute-Alsace, France)

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, 
COMMANDRE M

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(Univ. Aix-Marseille II, France)

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資料名：
Passivity of Metals and Semiconductors  (Passivity of Metals and Semiconductors)

Passivity of Metals and Semiconductors について


ページ： 457-462  発行年： 1983年 
JST資料番号： K19840210  ISBN： 0-444-42252-8  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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原子的に清浄なSi表面上の酸化けい素の非常に薄い膜の構造と成...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

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分類 (1件)：
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

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Si

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超薄膜

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成長速度論

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