アモルファス半導体と新材料 トピックス アモルファス半導体における電子格子相互作用と局在中心

篠塚雄三

文献

J-GLOBAL ID：200902088112142688 整理番号：92A0804177

アモルファス半導体と新材料トピックスアモルファス半導体における電子格子相互作用と局在中心

Special Issue: Amorphous Semiconductors and New Materials. Current Topics. Electron-Lattice Interactions and Localized Centers in Amorphous Semiconductors.

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資料名：
巻： 27 号： 11 ページ： 908-913 発行年： 1992年11月
JST資料番号： F0158B ISSN： 0454-4544 CODEN： KOTBA2 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

凝縮物質の電子格子相互作用を,アモルファス半導体のキャリアの...

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ポーラロン,電子-フォノン相互作用

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