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J-GLOBAL ID：200902088123394263   整理番号：93A0146827

Long wavelength InGaAsP/InP distributed feedback lasers grown by chemical beam epitaxy.

著者 (9件)： TSANG W T (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  CHOA F S (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  WU M C (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  CHEN Y K (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  LOGAN R A (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  CHU S N G (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  SERGENT A M (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  MAGILL P (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA) ,  BURRUS C A (AT&AT Bell Lab., New Jersey, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 124  号： 1/4  ページ： 716-722  発行年： 1992年11月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： InGaAsP ,  InP