文献

J-GLOBAL ID：200902088264103092   整理番号：88A0355960

初期窒化層を有するα-Al₂O₃基板上へのAlN膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of AlN film with an initial-nitriding layer on α-Al₂O₃ substrate.

著者 (4件)： KAWAKAMI H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAKURAI K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TSUBOUCHI K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIKOSHIBA N (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 27  号： 2  ページ： L161-L163  発行年： 1988年02月 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいMOCVD法によりα-Al₂O<...

シソーラス用語： MOCVD ,...
準シソーラス用語： アルカン誘導体

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0355960&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 初期 ,  窒化層 ,  α-AL2O3 ,  AlN ,  エピタキシャル成長