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J-GLOBAL ID：200902088529717454   整理番号：87A0055694

名目上無ドープのVPE-GaAsの性質に及ぼす基板ドーピングの影響に関する光ルミネセンス研究

Photoluminescence study on the influence of substrate doping on the properties of nominally undoped VPE-GaAs.

著者 (3件)： WEINERT H (Humboldt-Univ. Berlin, DDR) ,  DIEGNER B (VEB Werk fuer Fernsehelektronik, Berlin, DDR) ,  KUGLER J (Humboldt-Univ. Berlin, DDR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 97  号： 2  ページ： K177-K182  発行年： 1986年10月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VPE-GaAs層の性質に及ぼす基板タイプの影響に関する実験...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  GaAs ,  性質 ,  ドーピング ,  光ルミネセンス ,  研究