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J-GLOBAL ID：200902088615024780   整理番号：86A0345655

極微小域材料分析の最近の進歩 種々の材料への応用 エレクトロニクス材料(III-V族化合物半導体デバイス開発への応用)

Present status and problems in local analysis. Application to materials. Electronic materials (Application to group III-V compound semiconductor devices)

著者 (1件)： 尾形仁士 (三菱電機中研)
資料名： 日本金属学会会報  (Bulletin of the Japan Institute of Metals)
巻： 25  号： 3  ページ： 184-193  発行年： 1986年03月 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 0021-4426  CODEN： NKZKAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標題について1)GaAs,InPの表面の清浄化(表面の前処理...

シソーラス用語： 機器分析 ,...

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分類 (2件)： 無機化合物の物理分析  (CC03024P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (31件)：

• (1) 高橋清編: 分子線エピタキシー技術, 工業調査会,(1984).
• (2) A. Y. Cho: Thin Solid Films, 100 (1983), 291.
• (3) J. P. Contour, J. Massies and A. Saletes: Jpn. J. Appl. Phys., 24 (1985), L563.
• (4) A. Guivarch, H. L' Haridon, G. Pelous, G. Hollinger and P. Pertosa: J. Appl. Phys., 55 (1984), 1139.
• (5) D. T. Clark, T. Fox, G. G. Roberts and R. W. Sykes: Thin Solid Films, 70 (1980), 261.

タイトルに関連する用語 (6件)： 微小 ,  材料分析 ,  応用 ,  エレクトロニクス ,  III-V族化合物半導体 ,  開発