文献

J-GLOBAL ID：200902088783420488   整理番号：90A0891142

Siにイオン注入されたほう素の拡散現象

Diffusion of ion-implanted boron in Si.

著者 (1件)： 三宅雅保 (NTT LSI研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 59  号： 11  ページ： 1451-1460  発行年： 1990年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： イオン注入する不純物導入プロセスを高精度に行うためには,イオ...

シソーラス用語： イオン注入 ,...

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分類 (3件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (48件)：

• 1) T. M. Liu and W. G. Oldham: IEEE Electron Device Lett. EDL-4 (1983) 59.
• 2) A. E. Michel, R. H. Kastl, S. R. Mader, B. J. Masters and J. A. Gardner: Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 404.
• 3) J. B. Lasky: J. Appl. Phys. 54 (1983) 6009.
• 4) M. E. Lunnon, J. T. Chen and J. E. Baker: J. Electrochem. Soc. 132 (1985) 2473.
• 5) M. Miyake and S. Aoyama: J. Appl. Phys. 63 (1988) 1754.

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  イオン注入 ,  ほう素 ,  拡散現象