文献

J-GLOBAL ID：200902089055566308   整理番号：91A0196985

MBEによるGaSb/AlSb/GaAsひずみ層ヘテロ構造の成長

The growth of GaSb/AlSb/GaAs strained layer heterostructures by MBE.

著者 (7件)： ZONG X-F (Fudan Univ., Shanghai) ,  QIU S-X (Fudan Univ., Shanghai) ,  YANG H-Q (Fudan Univ., Shanghai) ,  HUANG C-H (Fudan Univ., Shanghai) ,  CHEN J-Y (Fudan Univ., Shanghai) ,  HU G (Fudan Univ., Shanghai) ,  WU Z-C (Fudan Univ., Shanghai)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 39  号： 12  ページ： 1959-1964,2028(1)  発行年： 1990年12月 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： MBE法により半絶縁性(100)GaAs基板上にGaSb/AlSb/GaAsひずみヘテロ構造を作製した。RHEED測定の結果,Sb安定化条件ではGaSb表面はC(2×6)構造を示し,AlSb表面は(1×3)Sb構造を示した。RHHED強度振動の観察によりGaSb/AlSb超格子を10周期作製しTEM観察した。その結果,超格子はシャープで平坦であった。また,AlSbバッファ層厚が十分であればGaAs上に結晶性の高いGaSbがエピタキシャル成長することがわかった。GaSbの2結晶X線回折半値幅は300秒以下,アンドープキャリア濃度はp=2.12×10¹⁶cm^-3,移動度は室温で664cm²/Vsであった

シソーラス用語： アンチモン化ガリウム ,  アンチモン化アルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  格子歪 ,  ヘテロ接合 ,  MBE成長 ,  半導体薄膜 ,  反射電子回折 ,  表面構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  人工超格子 ,  X線回折 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： ひずみ層

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  GaSb ,  GaAs ,  ひずみ層 ,  ヘテロ構造 ,  成長