文献
J-GLOBAL ID：200902089855965227   整理番号：86A0388163

MgAl2O4/Si基板上のPbTiO3のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of PbTiO3 on MgAl2O4/Si substrates.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0388163&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0885B") }}
著者 (3件)：
MATSUBARA S

MATSUBARA S について

(NEC Corp., Kanagawa)

NEC Corp., Kanagawa について

, 
SHOHATA N

SHOHATA N について

(NEC Corp., Kanagawa)

NEC Corp., Kanagawa について

, 
MIKAMI M

MIKAMI M について

(NEC Corp., Kanagawa)

NEC Corp., Kanagawa について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Supplement  (Japanese Journal of Applied Physics. Supplement)

Japanese Journal of Applied Physics. Supplement について


号： 24-3  ページ： 10-12  発行年： 1985年 
JST資料番号： F0885B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
スパッタ温度480~550°Cで(100)MgAl<sub>...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
チタン酸鉛

チタン酸鉛 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0388163&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0885B") }}
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性 
(BM05030B)

強誘電体,反強誘電体,強弾性 について

,  その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

その他の無機化合物の薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
MgAl2O4

MgAl2O4 について

, 
Si基板

Si基板 について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM