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J-GLOBAL ID：200902089869058591   整理番号：86A0541975

分子線デポジションにより作製したSi/Ni多層構造からのSi(III)基板上NiSi₂層の固相エピタクシー

Solid-phase epitaxy of NiSi₂ layer on Si(111) substrate from Si/Ni multi-layer structure prepared by molecular beam deposition.

著者 (2件)： ISHIZAKA A (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  SHIRAKI Y (Hitachi Ltd., Tokyo)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 174  号： 1/3  ページ： 671-677  発行年： 1986年08月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス相のSi/Ni多層構造からのNiSi<sub>2...

シソーラス用語： 分子ビーム ,...
準シソーラス用語： けい化窒素

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子線 ,  ポジション ,  作製 ,  Si ,  Ni ,  多層構造 ,  固相エピタクシー