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J-GLOBAL ID：200902089871974945   整理番号：92A0363443

低線量酸素注入により形成した埋め込み酸化物層

Buried oxie layers formed by low-dose oxygen implantation.

著者 (2件)： NAKASHIMA S (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Atsugi-shi, JPN) ,  IZUMI K (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Atsugi-shi, JPN)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 7  号： 4  ページ： 788-790  発行年： 1992年04月 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 180keVで0.4および0.7×10<sup>18</su...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低線量 ,  酸素注入 ,  埋め込み ,  酸化物層