シリコンのO<sub>2</sub>/NF<sub>3</sub>酸化での酸化積層欠陥の速い収縮

KIM U S; JACCODINE R J

文献

J-GLOBAL ID：200902090082016075 整理番号：87A0153418

シリコンのO₂/NF₃酸化での酸化積層欠陥の速い収縮

Fast shrinkage of oxidation stacking faults during O₂/NF₃ oxidation of silicon.

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巻： 49 号： 18 ページ： 1201-1203 発行年： 1986年11月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記酸化誘起積層欠陥(OSF)の振舞いを850~1100°C...

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半導体の格子欠陥 , 酸化物薄膜

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シリコンのO2/NF3酸化での酸化積層欠陥の速い収縮

シリコンのO₂/NF₃酸化での酸化積層欠陥の速い収縮