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J-GLOBAL ID：200902090271563923   整理番号：92A0831821

局所ドーピングと基板段差により核形成位置制御したシードレス固相成長

Nucleation-Site Controlled Seedless Solid Phase Epitaxy utilizing Local Doping and Substrate Step-Structure.

著者 (4件)： 茂庭昌弘 (日立) ,  楠川喜久雄 (日立) ,  大倉理 (日立) ,  武田英次 (日立)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 53rd  号： 2  ページ： 664  発行年： 1992年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーピング ,  段差 ,  核形成 ,  位置制御 ,  固相成長