Si(100)上の室温Si成長とエピタキシャル成長に対する限界膜厚h<sub>epi</sub>

EAGLESHAM D J; GOSSMANN H-J; CERULLO M

文献

J-GLOBAL ID：200902090407509316 整理番号：90A0854219

Si(100)上の室温Si成長とエピタキシャル成長に対する限界膜厚h_epi

Limiting thickness h_epi for epitaxial growth and room-temperature Si growth on Si(100).

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巻： 65 号： 10 ページ： 1227-1230 発行年： 1990年09月03日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

平滑なSi(100)表面におけるSi分子線エピタクシー(MB...

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半導体薄膜

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Si(100)上の室温Si成長とエピタキシャル成長に対する限界膜厚hepi

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