文献

J-GLOBAL ID：200902090439931729   整理番号：86A0375712

GaAs ICと結晶特性

Characteristics of semi-insulating GaAs crystal for GaAs ICs.

著者 (1件)： 宮沢信太郎 (NTT厚木電通研)
資料名： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
巻： 28  号： 2  ページ： 92-102  発行年： 1986年03月 
JST資料番号： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 液体封じCzochralski法で作った非ドープGaAs結晶...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (44件)：

• 1) F. S. Lee, R. C. Eden, S. I. Long, B. M. Welch and R. Zucca: ICCC 80, p. 697 (1980) .
• 2) T. Hayashi, A. Masaki, H. Tanaka, H. Yamashita, N. Masuda, T. Doi, N. Hashimoto, N. Kotera, J. Shigeta, T. Kohashi and S. Takahashi: Tech. Digest of GaAs IC Symposium Boston, p. 111 (1984) .
• 3) M. Idda, H. Yamazaki, N. Kato and M. Ohmori: Late News Abstract of 1984 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Kobe) p. 30 (1984) .
• 4) D. E. Halmes, R. T. Chen, K. R. Elliot and C. G. Kirkpatrik: Appl. Phys. Lett. 40, 46 (1982) .
• 5) D. E. Halmes, R. T. Chen, K. R. Elliot, C. G. Kirkpatrik and P. W. Yu: IEEE Trans, ED, ED-29, 1045 (1982) .

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  IC ,  結晶