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J-GLOBAL ID：200902090945037505   整理番号：92A0789146

サブミクロンM-Rメモリにおける高出力モード

A high output mode for submicron M-R memory cells.

著者 (3件)： POHM A V (Nonvolatile Electronics, Inc., MN) ,  DAUGHTON J M (Nonvolatile Electronics, Inc., MN) ,  SPEARS K E (Nonvolatile Electronics, Inc., MN)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 28  号： 5 Pt 2  ページ： 2356-2358  発行年： 1992年09月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロンの磁気抵抗(M-R)メモリ素子を用いて,歪みの無...

シソーラス用語： 磁気メモリ ,...

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分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (2件)： サブ ,  高出力