文献

J-GLOBAL ID：200902091176420216   整理番号：86A0438071

反応的にスパッタして成長した窒化ジルコニウム薄膜の抵抗率とHall効果

Resistivity and Hall effect of reactively sputtered zirconium nitride films.

著者 (6件)： SAIB M (Univ. Provence, France) ,  FRANCOIS J C (Univ. Provence, France) ,  GRAVIER P (Univ. Provence, France) ,  SIGRIST M (Univ. Provence, France) ,  ARGEME L (Univ. Provence, France) ,  CERCLIER O (Univ. Provence, France)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 58  号： 6  ページ： 385-388  発行年： 1986年05月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応的スパッタリング系で蒸着した,ZrN<sub>x</su...

シソーラス用語： ジルコニウム化合物 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0438071&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0499A") }}

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  成長 ,  窒化ジルコニウム ,  薄膜 ,  抵抗率 ,  Hall効果