文献

J-GLOBAL ID：200902091185373166   整理番号：89A0477288

p型シリコン結晶の水素による不動態化のからくり

Mechanism of hydrogen passivation in p-type crystalline silicon.

著者 (2件)： 吉田博 (東北大 理) ,  佐々木泰造 (金材技研)
資料名： 日本物理学会誌
巻： 44  号： 9  ページ： 657-663  発行年： 1989年09月 
JST資料番号： F0221A  ISSN： 0029-0181  CODEN： NBGSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ボロンなどのアクセプタをドープしたp型シリコン結晶中では,侵...

シソーラス用語： P型半導体 ,...

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  結晶結合  (BK05020K)

引用文献 (32件)：

• 1) W. Kohn: Solid State Physics, Vol. 5, ed. F. Seitz and D. Turnbull (Academic Press, New York, 1957) p. 257.
• 2) J.I. Pankove, D.E. Carlson, J.E. Berkeyheiser and R.O. Wance: Phys. Rev. Lett. 51 (1983) 2224.
• 3) C.T. Sah, J.Y.-C. Sun and J.J:-T. Tzou: Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 204.
• 4) M.L. Thewalt, E.C. Lightowlers and J.I. Pankove: Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 421.
• 5) N.M. Johnson: Phys. Rev. B 31 (1985) 5525.

タイトルに関連する用語 (5件)： P型シリコン ,  結晶 ,  水素 ,  不動態化 ,  からくり