文献
J-GLOBAL ID：200902091411546109   整理番号：92A0272864

Properties of copper-induced complexes in silicon.

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著者 (5件)：
WAGNER P

WAGNER P について

(Wacker-Chemitronic GmbH, Burghausen, DEU)

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HAGE H

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(Wacker-Chemitronic GmbH, Burghausen, DEU)

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PRIGGE H

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(Wacker-Chemitronic GmbH, Burghausen, DEU)

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PRESCHA T

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(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

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WEBER J

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(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

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資料名：
Semiconductor Silicon 1990  (Semiconductor Silicon 1990)

Semiconductor Silicon 1990 について


ページ： 675-686  発行年： 1990年 
JST資料番号： K19920040  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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