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J-GLOBAL ID：200902091502091759   整理番号：86A0349473

GaAs量子井戸の非熱的キャリア占有数のフェムト秒励起

Femtosecond excitation of nonthermal carrier populations in GaAs quantum wells.

著者 (6件)： KNOX W H (AT&T, New Jersey) ,  HIRLIMANN C (AT&T, New Jersey) ,  MILLER D A B (AT&T, New Jersey) ,  SHAH J (AT&T, New Jersey) ,  CHEMLA D S (AT&T, New Jersey) ,  SHANK C V (AT&T, New Jersey)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 56  号： 11  ページ： 1191-1193  発行年： 1986年03月17日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超短光パルスを用いてGaAs量子井戸に非平衡キャリア分布を励...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  量子井戸 ,  キャリア ,  占有数 ,  フェムト秒 ,  励起