文献
J-GLOBAL ID：200902091686030986   整理番号：86A0267276

低温における半導体中の再結合と衝突イオン化による負性微分伝導率

A negative differential conductivity due to recombination and impact ionization in semiconductors at low temperatures.
著者 (1件)：
MITIN V V

MITIN V V について

(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Fed Rep Germany)

Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Fed Rep Germany について


資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)

Applied Physics. A. Materials Science & Processing について


巻： 39  号： 2  ページ： 123-127  発行年： 1986年02月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
衝突イオン化の確率と再結合時間は電界Eと共に単調に増加するこ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体

半導体 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
不純物散乱

不純物散乱 について


   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0267276&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0256C") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電気伝導 
(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
低温

低温 について

, 
再結合

再結合 について

, 
衝突イオン化

衝突イオン化 について

, 
微分

微分 について

, 
伝導率

伝導率 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM