面内ゲートトランジスタの高周波特性

MCLEAN J S; WIECK A D; BLEDER M; PLOOG K

文献

J-GLOBAL ID：200902091703764905 整理番号：92A0752457

面内ゲートトランジスタの高周波特性

High frequency characteristics of in-plane-gate transistors.

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資料名：
巻： 61 号： 11 ページ： 1324-1325 発行年： 1992年09月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

著者等は前報で集束イオンビームで直接書いた面内ゲート(IPG...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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