だ円偏光法による低圧力CVD非晶質シリコン膜の研究

文献

J-GLOBAL ID：200902091709436241 整理番号：81A0163685

Investigation of amorphous low-pressure chemical-vapor-deposited silicon films by ellipsometry.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 10 号： 1 ページ： 48-52 発行年： 1981年
JST資料番号： A0968B ISSN： 0370-9736 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

多層膜だ円偏光法を検討し,MOS用の多層膜の屈折率・吸収係数...

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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 , 半導体薄膜

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