分子ビームエピタクシーで成長させたモジュレーションドーピングSi-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>超格子構造における移動度増進

JORKE H; HERZOG H-J

文献

J-GLOBAL ID：200902091821476868 整理番号：86A0405476

分子ビームエピタクシーで成長させたモジュレーションドーピングSi-Si_1-xGe_x超格子構造における移動度増進

Mobility enhancement in modulation-doped Si-Si_1-xGe_x superlattice grown by molecular beam epitaxy.

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巻： 133 号： 5 ページ： 998-1001 発行年： 1986年05月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si基板上に分子ビームエピタクシー成長させたSi-Si<su...

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半導体の放射線による構造と物性の変化

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分子ビームエピタクシーで成長させたモジュレーションドーピングSi-Si1-xGex超格子構造における移動度増進

分子ビームエピタクシーで成長させたモジュレーションドーピングSi-Si_1-xGe_x超格子構造における移動度増進