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J-GLOBAL ID：200902092416648003   整理番号：86A0509292

自然にドープされたGaN結晶中の中性ドナー束縛励起子(BED°)の分散

The dispersion of BED° in unintentional doped GaN crystals.

著者 (5件)： BAO Q C (Changchun Inst. of Physics Chinese Academy of Sciences, CHN) ,  ZHANG F L (Changchun Inst. of Physics Chinese Academy of Sciences, CHN) ,  SHI K (Changchun Inst. of Physics Chinese Academy of Sciences, CHN) ,  DAI R S (Changchun Inst. of Physics Chinese Academy of Sciences, CHN) ,  XU X R (Changchun Inst. of Physics Chinese Academy of Sciences, CHN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 59  号： 9  ページ： 599-602  発行年： 1986年09月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気相エピタクシー法で作成したGaN結晶を77KでXeエキシマ...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  GaN ,  結晶 ,  中性 ,  ドナー ,  束縛励起子