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J-GLOBAL ID：200902092667908500   整理番号：87A0208942

サファイア上のけい素におけるキャリア寿命とイオン注入線量の関係

Carrier lifetime versus ion-implantation dose in silicon on sapphire.

著者 (3件)： DOANY F E (IMB T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  GRISCHKOWSKY D (IMB T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  CHI C-C (IMB T.J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 50  号： 8  ページ： 460-462  発行年： 1987年02月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siオンサファイアで自由キャリア寿命とO<sup>+</su...

シソーラス用語： サファイア ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  けい素 ,  キャリア寿命 ,  イオン注入 ,  線量