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J-GLOBAL ID：200902092916595933   整理番号：91A0537923

絶縁体上のシリコン「ゲート・オール・アラウンド・デバイス」

Silicon-on-insulator“gate-all-around device”.

著者 (5件)： COLINGE J P (IMEC, Leuven, BEL) ,  GAO M H (IMEC, Leuven, BEL) ,  ROMANO-RODR<span style=text-decoration:overline>I ́</span>GUEZ A (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAES H (IMEC, Leuven, BEL) ,  CLAEYS C (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1990  ページ： 595-598  発行年： 1990年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン膜の上下にゲート酸化膜とゲート電極を配置したSOI ...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁体 ,  シリコン ,  ゲート