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J-GLOBAL ID：200902092948084418   整理番号：86A0352371

MoSi₂を用いた低障壁Schottkyプロセス

A low-barrier Schottky process using MoSi₂.

著者 (3件)： KAPOOR A K (Fairchild Research Center, CA) ,  THOMAS M E (Fairchild Research Center, CA) ,  VORA M B (Fairchild Research Center, CA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 33  号： 6  ページ： 772-778  発行年： 1986年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超清浄条件下で自己整合プロセスにより単結晶n形Si上にMoS...

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,...
準シソーラス用語： 障壁高さ

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分類 (2件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 障壁 ,  プロセス