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J-GLOBAL ID：200902092962777892   整理番号：87A0093655

AIIIBV半導体における電場中の深い不純物中心からのトンネリング

Туннелирование с глубоких примесных центров в электрическом поле в полупроводниках AIIIBV.
著者 (2件)：
КУРНОСОВА О В

КУРНОСОВА О В について

, 
ПАХОМОВ А А

ПАХОМОВ А А について


資料名：
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)

Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov について


巻： 20  号： 10  ページ： 1868-1870  発行年： 1986年10月 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ロシア (RUS)  言語： ロシア語 (RU)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半径零のポテンシャルの多重バンド模型に基づいて不純物が関与す...
シソーラス用語：
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化合物半導体

化合物半導体 について

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第3B族元素化合物

第3B族元素化合物 について

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分類 (2件)：
分類
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半導体結晶の電気伝導 
(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導 について

,  不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
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電場

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不純物中心

不純物中心 について

, 
トンネリング

トンネリング について


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