文献
J-GLOBAL ID：200902093327135961   整理番号：91A0594078

The base resistance controlled thyristor(BRT). A new MOS gated power thyristor.

著者 (5件)：
NANDAKUMAR M

NANDAKUMAR M について

(North Carolina State Univ., NC)

North Carolina State Univ., NC について

, 
BALIGA B J

BALIGA B J について

(North Carolina State Univ., NC)

North Carolina State Univ., NC について

, 
SHEKAR M S

SHEKAR M S について

(North Carolina State Univ., NC)

North Carolina State Univ., NC について

, 
TANDON S

TANDON S について

(MCNC Center for Microelectronics, NC)

MCNC Center for Microelectronics, NC について

, 
REISMAN A

REISMAN A について

(MCNC Center for Microelectronics, NC)

MCNC Center for Microelectronics, NC について


資料名：
Proceedings of the 3rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1991  (Proceedings of the 3rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1991)

Proceedings of the 3rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1991 について


ページ： 138-141  発行年： 1991年 
JST資料番号： K19910293  ISBN： 0-7803-0010-6  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
BRT

BRT について

, 
MOS

MOS について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM