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J-GLOBAL ID：200902095340948877   整理番号：82A0253615

超格子における電子衝撃イオン化の増大 : 大きなイオン化率比を有する新しいアバランシェフォトダイオード

Enhancement of electron impact ionization in a superlattice: A new avalanche photodiode with a large ionization rate ratio.

著者 (4件)： CAPASSO F (Bell Lab., New Jersey) ,  TSANG W T (Bell Lab., New Jersey) ,  HUTCHINSON A L (Bell Lab., New Jersey) ,  WILLIAMS G F (Bell Lab., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 40  号： 1  ページ： 38-40  発行年： 1982年01月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超格子アバランシェフォトダイオード(APD)に関してはじめて...

シソーラス用語： 超格子 ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 格子 ,  電子衝撃 ,  イオン化 ,  イオン化率 ,  アバランシェフォトダイオード