エルビウムを注入したIII-V族半導体およびシリコンの1.54μmのルミネセンス

ENNEN H; SCHNEIDER J; POMRENKE G; AXMANN A

文献

J-GLOBAL ID：200902095497143082 整理番号：84A0242909

エルビウムを注入したIII-V族半導体およびシリコンの1.54μmのルミネセンス

1.54-μm luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.

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資料名：
巻： 43 号： 10 ページ： 943-945 発行年： 1983年11月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaP,GaAs,InPおよびSiに350keVのErを5×...

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半導体のルミネセンス

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