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J-GLOBAL ID：200902095523797584   整理番号：86A0262670

半導体のレーザ焼なましの条件下の拡散

Диффузия в условиях лазерного отжига полупроводников.
著者 (1件)：
СТРЕКАЛОВ В Н

СТРЕКАЛОВ В Н について


資料名：
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)

Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov について


巻： 20  号： 2  ページ： 361-363  発行年： 1986年02月 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ロシア (RUS)  言語： ロシア語 (RU)
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半導体構造に適当なエネルギー密度のレーザ光を照射したときに生...
シソーラス用語：
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半導体

半導体 について

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分類 (2件)：
分類
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レーザ照射・損傷 
(BK16040S)

レーザ照射・損傷 について

,  固体中の拡散一般 
(BL06021L)

固体中の拡散一般 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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レーザ焼なまし

レーザ焼なまし について

, 
拡散

拡散 について


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