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J-GLOBAL ID：200902095994564423   整理番号：86A0254532

電子の表面捕獲が金属-絶縁体(トンネル)-Si(n)-Si(p⁺)素子のスイッチング電圧におよぼす効果

Electron surface trapping effects on the switching voltage of metal-insulator (tunnel)-Si(n)-Si(p⁺) devices.

著者 (3件)： PHAN H K (Inst. Physics, Hanoi) ,  PHU L H (Inst. Physics, Hanoi) ,  BINH P H (Inst. Physics, Hanoi)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 29  号： 3  ページ： 273-277  発行年： 1986年03月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重遅延パルスモデルを用いて,Au-SiO<sub>2</s...

シソーラス用語： MIS構造 ,...
準シソーラス用語： パルス応用計測 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  捕獲 ,  絶縁体 ,  トンネル ,  Si ,  スイッチング