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J-GLOBAL ID：200902096199841288   整理番号：86A0459226

AlGaAs/GaAs量子井戸における散乱誘起負性微分抵抗のモンテカルロシュミレーション

Monte Carlo simulation of scattering-induced negative differential resistance in AlGaAs/GaAs quantum wells.

著者 (2件)： AL-MUDARES M A R (Univ. Essex, UK) ,  RIDLEY B K (Univ. Essex, UK)
資料名： Journal of Physics. C. Solid State Physics  (Journal of Physics. C. Solid State Physics)
巻： 19  号： 17  ページ： 3179-3192  発行年： 1986年06月20日 
JST資料番号： B0914A  ISSN： 0022-3719  CODEN： JPSOAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクフォノン近似を用い,準二次元電子-電子散乱及び縮退効果...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  散乱 ,  誘起 ,  負性微分抵抗 ,  モンテカルロ ,  シュミレーション