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J-GLOBAL ID：200902096383579545   整理番号：86A0211701

SOI型記憶素子に及ぼす過渡的放射線の影響

Transient radiation effects in SOI memories.

著者 (6件)： DAVIS G E (Naval Research Lab., Washington DC) ,  HITE L R (Texas Instruments Inc.) ,  BLAKE T G W (Texas Instruments Inc.) ,  CHEN C-E (Texas Instruments Inc.) ,  LAM H W (Texas Instruments Inc.) ,  DEMOYER R JR (U.S. Naval Academy, MD)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 32  号： 6  ページ： 4432-4437  発行年： 1985年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販されているSOI型(Silicon-on-insulat...

シソーラス用語： LSI【IC】 ,...
準シソーラス用語： SOI型LSI記憶素子

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： SOI ,  記憶素子 ,  放射線