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J-GLOBAL ID:200902096957850501   整理番号:93A0165253

サファイア基板へのGaN1-xPx(x≦0.09)のヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial Growth of GaN1-xPx(x≦0.09) on Sapphire Substrates.
著者 (1件):
資料名:
巻: 31  号: 12A  ページ: 3791-3793  発行年: 1992年12月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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(0001)サファイア基板に最大組成x~0.09の標記単結晶...
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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