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J-GLOBAL ID：200902096957850501   整理番号：93A0165253

サファイア基板へのGaN1-xPx(x≦0.09)のヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial Growth of GaN1-xPx(x≦0.09) on Sapphire Substrates.
著者 (1件)：
IGARASHI O

IGARASHI O について

(Electrotechnical Lab., Ibaraki)

Electrotechnical Lab., Ibaraki について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 31  号： 12A  ページ： 3791-3793  発行年： 1992年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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(0001)サファイア基板に最大組成x~0.09の標記単結晶...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ガリウム化合物

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

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タイトルに関連する用語
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サファイア基板

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成長

成長 について


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