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J-GLOBAL ID：200902097865479340   整理番号：81A0243748

半導体圧力センサの非線形特性の解析

著者 (6件)： 西原元久 (日立日立研) ,  嶋田智 (日立日立研) ,  山田一二 (日立日立研) ,  田辺正則 (日立日立研) ,  松岡よし隆 (日立那か工場) ,  保川彰夫 (日立機械研)
資料名： 計測自動制御学会論文集  (Transactions of the Society of Instrument and Control Engineers)
巻： 17  号： 2  ページ： 274-279  発行年： 1981年04月 
JST資料番号： S0104A  ISSN： 0453-4654  CODEN： KJSRA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンのピエゾ抵抗効果を応用した半導体圧力センサの非線形特...

シソーラス用語： 半導体ストレンゲージ ,...

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分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

引用文献 (14件)：

• 1) C. S. Smith: Piezoresistance Effect in Germanium and Silicon, Phys. Rev., 94-1, 42/49 (1954)
• 2) W. P. Mason and R. N. Thurston: Use of Piezoresistive Materials in the Measurement of Displacement, Force and Torque, J. Acoust. Soc. Amer., 29-10, 1096/1101 (1957)
• 3) W. G. Pfann and R. N. Thurston: Semiconducting Stress Tranceducers Utilizing the Transeverse and Shear Piezoresistance Effects, J. Appl. Phys., 32-10, 2008/2019 (1961)
• 4) O. N. Tufte and E. L. Stelzer: Piezoresistive Properties of Silicon Diffused Layers, J. Appl. Phys., 34-2, 313/318 (1963)
• 5) D. R. Kerr and A. G. Milnes: Piezoresistance of Diffused Layers in Cubic Semiconductors, J. Appl. Phys., 34-4, 727/731 (1963)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体圧力センサ ,  非線形特性 ,  解析