電解インプロセス・ドレッシング法によるシリコンウエハの鏡面研削

文献

J-GLOBAL ID：200902097903506178 整理番号：90A0753870

Mirror surface grinding of silicon wafers with electrolytic in-process dressing.

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資料名：
巻： 39 号： 1 ページ： 329-332 発行年： 1990年
JST資料番号： E0026A ISSN： 0007-8506 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

#30000程度のサブミクロン超微粒ダイヤモンドを用いた鋳鉄...

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固体デバイス材料 , 研削

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