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J-GLOBAL ID：200902097939511941   整理番号：87A0412999

フォノン誘起コンダクタンスによって得られたSi中の深い不純物と関連のある浅い捕獲中心

Shallow traps correlated with deep impurities in silicon as obtained by phonon induced conductance.

著者 (4件)： BURGER W (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  LASSMANN K (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  HOLM C (Heliotronic, Burghausen, DEU) ,  WAGNER P (Heliotronic, Burghausen, DEU)
資料名： 18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.2  (18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.2)
ページ： 851-854  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870208  ISBN： 9971-50-197-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中でHe類似の深いダブルドナーとなるTe,S等のカルコゲ...

シソーラス用語： フォノン ,...

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： フォノン ,  誘起 ,  コンダクタンス ,  Si ,  不純物 ,  捕獲中心