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J-GLOBAL ID：200902098449869739   整理番号：85A0276276

VLSIに対するSiとSiO₂の熱的窒化

Thermal nitridation of si and SiO₂ for VLSI.

著者 (2件)： MOSLEHI M M (Stanford Univ., CA) ,  SARASWAT K C (Stanford Univ., CA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 32  号： 2  ページ： 106-123  発行年： 1985年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱的窒化を酸素の汚染を最小にするため閉管冷壁RF加熱反応炉で...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： VLSI ,  Si ,  SiO2 ,  窒化