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J-GLOBAL ID:200902098786572691   整理番号:87A0125872

Ga0.96Al0.04Sbの液相エピタキシャル成長 電気的光電的特性評価

Liquid-phase-epitaxial growth of Ga0.96Al0.04Sb : Electrical and photoelectrical characterizations.
著者 (7件):
資料名:
巻: 60  号: 10  ページ: 3582-3591  発行年: 1986年11月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GaSb基板に温度400,450,550°Cで標記の膜を成長...
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分類 (2件):
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半導体-半導体接触【’81~’92】  ,  半導体薄膜 
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