グロー放電による多結晶および非晶質Si-C薄膜の結合特性のX線回折およびX線光電子分光法による研究

TAKESHITA T; KURATA Y; HASEGAWA S

文献

J-GLOBAL ID：200902098932743258 整理番号：92A0500821

グロー放電による多結晶および非晶質Si-C薄膜の結合特性のX線回折およびX線光電子分光法による研究

Bonding properties of glow-discharge polycrystalline and amorphous Si-C films studied by x-ray diffraction and x-ray photoelectron spectroscopy.

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巻： 71 号： 11 ページ： 5395-5400 発行年： 1992年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シラン-メタン混合ガスの700°Cでのrfグロー放電による分解...

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半導体薄膜

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