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J-GLOBAL ID：200902100199715328   整理番号：94A0192140

Impact of Cell Geometries and Electrothermal Effects on IGBT Latch-Up in 2D-Simulation.

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著者 (3件)：
BRUNNER H

BRUNNER H について

(Siemens AG, Muenchen, DEU)

Siemens AG, Muenchen, DEU について

, 
GERSTENMAIER Y C

GERSTENMAIER Y C について

(Siemens AG, Muenchen, DEU)

Siemens AG, Muenchen, DEU について

, 
MATTAUSCH H-J

MATTAUSCH H-J について

(Siemens AG, Muenchen, DEU)

Siemens AG, Muenchen, DEU について


資料名：
Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.5  (Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.5)

Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.5 について


ページ： 45-48  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19940113  ISBN： 3-211-82504-5  資料種別： 会議録 (C)
発行国： オーストリア (AUT)  言語： 英語 (EN)
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IGBT

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Up

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2D

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