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J-GLOBAL ID：200902100276216860   整理番号：95A0860847

III-V族化合物半導体薄膜の相平衡についての熱力学的解析

Thermodynamic Analysis on Phase Equilibria of Thin Film in III-V Alloy Semiconductors.
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著者 (3件)：
KOBAYASHI K

KOBAYASHI K について

(Tohoku Univ.)

Tohoku Univ. について

, 
OHTANI H

OHTANI H について

(Tohoku Univ.)

Tohoku Univ. について

, 
ISHIDA K

ISHIDA K について

(Tohoku Univ.)

Tohoku Univ. について


資料名：
Electronic Materials Symposium  (Electronic Materials Symposium)

Electronic Materials Symposium について


巻： 14th  ページ： 141-144  発行年： 1995年07月 
JST資料番号： L2543A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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相平衡と熱化学的情報とを結合させて,GaAs(100)上ある...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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化合物半導体

化合物半導体 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

,  半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
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III-V族化合物半導体

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薄膜

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相平衡

相平衡 について

, 
力学的解析

力学的解析 について


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