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J-GLOBAL ID：200902100623759349   整理番号：01A0212524

赤外反射吸収分光法によって調べたSi表面の水素エッチングの初期段階

Initial Stage of Hydrogen Etching of Si Surfaces Investigated by Infrared Reflection Absorption Spectroscopy.

著者 (4件)： NODA H (Graduate Univ. Advanced Studies, Okazaki, JPN) ,  URISU T (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KOBAYASHI Y (NTT Basic Res. Lab., Atsugishi, JPN) ,  OGINO T (NTT Basic Res. Lab., Atsugishi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 12B  ページ： 6985-6989  発行年： 2000年12月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で水素に曝露したSi表面のエッチングの初期段階を標記分光...

シソーラス用語： *エッチング ,...
準シソーラス用語： IRAS法 ,...

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

引用文献 (19件)：

• 1) S. M. Gates, R. R. Kunz and C. M. Greenlief: Surf. Sci. 207 (1989) 364.
• 2) C. C. Cheng and J. T. Yates, Jr.: Phys. Rev. B 43 (1991) 4041.
• 3) C. M. Greenlief, S. M. Gates and P. A. Holbert: Chem. Phys. Lett. 159 (1989) 202.
• 4) J. J. Boland: Surf. Sci. 261 (1992) 17.
• 5) Y. Wei, L. Li and I. S. T. Tsong: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1818.

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外反射吸収分光法 ,  Si ,  水素 ,  エッチング ,  初期段階